漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀特點(diǎn)：

　　◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

　　◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

　　◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

　　◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

　　◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

　　◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

　　◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)AST# D150以及IEC60250規(guī)范要求。

頻率范圍 10kHz～10MHz 100kHz～10MHz

　　固有誤差 ≤5％±滿度值的2% ≤5％±滿度值的2%

　　工作誤差 ≤7％±滿度值的2% ≤7％±滿度值的2%

　　頻率范圍 10MHz～70MHz 10MHz～160MHz

　　固有誤差 ≤6％±滿度值的2% ≤6％±滿度值的2%

　　工作誤差 ≤8％±滿度值的2% ≤8％±滿度值的2%

Q值測量

　　a．Q值測量范圍：2～1023；

　　b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

　　介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

　　損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好

　　概念：

　　電介質(zhì)在外電場作用下，其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電介質(zhì)在電場作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。

漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

影響介電性能的因素

　　下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。

　　1頻率

　　因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

　　電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

　　2溫度

　　損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。

　　3濕度

　　極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是的.

　　注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

　　4電場強(qiáng)度

　　存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

　　在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)

　　測量方法的選擇：

　　高頻/音頻介電常數(shù)測試儀GDAT-A測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。

　　1 零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過50 MHz時(shí)的測量。測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下，調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通常回路采用西林電橋、變壓器電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián) T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過多操作，就可采用保護(hù)電極;它沒有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。

　　2 諧振法適用于10 kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測量。該方法為替代法測量，常用的是變電抗法。但該方法不適合采用保護(hù)電極。

　　注:典型的電橋和電路示例見附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的，敘述電橋和側(cè)量方法報(bào)導(dǎo)見有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說明書。

工作原理

　　1．“Q”的定義

　　Q表是根據(jù)串聯(lián)諧振原理設(shè)計(jì)，以諧振電壓的比值來定位Q值。

　　“Q”表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)”，其物理含義是在一個(gè)振蕩周期內(nèi)貯存的能量與損耗的能量之比。對于電抗元件(電感或電容)來說，即在測試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。

　　或 (1)

　　圖 一

　　在圖（一）所示的串聯(lián)諧振電路中，所加的信號(hào)電壓為Ui，頻率為f，在發(fā)生諧振時(shí)

　　或 (2)

　　回路中電流 (3)

　　故電容兩端的電壓